Erratum: “Write voltage-dependent transport mechanisms in Pt/BaTiO3/Nb:SrTiO3 ferroelectric tunnel memristors”[Appl. Phys. Lett. 116, 032903 (2020)]

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2020-08, Vol.117 (8)
Hauptverfasser:	Ma, Zhijun, Li, Liqian, Wang, Yihao, Zhou, Peng, Guo, Yizhong, Liu, Ying, Liang, Kun, Qi, Yajun, Zhang, Tianjin
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Memristors Strontium titanates
Online-Zugang:	Volltext
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