Publisher's Note: “Two-terminal terahertz detectors based on AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors” [Appl. Phys. Lett. 115, 111101 (2019)]

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2019-10, Vol.115 (15)
Hauptverfasser:	Sun, Jiandong, Zhang, Zhipeng, Li, Xiang, Qin, Hua, Sun, Yunfei, Cai, Yong, Yu, Guohao, Zhang, Zhili, Zhang, Jinfeng, Shangguan, Yang, Jin, Lin, Li, Xinxing, Zhang, Baoshun, Popov, V. V.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Aluminum gallium nitrides Applied physics High electron mobility transistors
Online-Zugang:	Volltext
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