Effects of high pressure nitrogen annealing on ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 films

The effect of high-pressure nitrogen annealing at up to 50 atmospheres (atm) on Hf0.5Zr0.5O2 films at relatively low temperatures (450 °C) is analyzed using polarization-electric field curves, bipolar switching endurance measurements, grazing angle incidence X-ray diffraction, and piezoelectric forc...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2018-02, Vol.112 (9)
Hauptverfasser:	Kim, Taeho, Park, Jinsung, Cheong, Byoung-Ho, Jeon, Sanghun
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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