Oxygen vacancy defect engineering using atomic layer deposited HfAlOx in multi-layered gate stack

Oxygen vacancy defect engineering using atomic layer deposited HfAlOx in multi-layered gate stack

This work evaluates the defects in high quality atomic layer deposited (ALD) HfAlOx with extremely low Al (

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Applied physics letters 2016-05, Vol.108 (18)
Hauptverfasser: Bhuyian, M. N., Sengupta, R., Vurikiti, P., Misra, D.
Format: Artikel
Sprache:eng
Schlagworte:
Activation energy
Aluminum
Applied physics
Conduction bands
Defects
Dielectrics
Electric potential
Electrical measurement
Hafnium oxide
Leakage current
Multilayers
Vacancies
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:This work evaluates the defects in high quality atomic layer deposited (ALD) HfAlOx with extremely low Al (
ISSN:0003-6951
1077-3118
DOI:10.1063/1.4948583