Corrigendum: High-performance n-type black phosphorus transistors with type control via thickness and contact-metal engineering

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Nature communications 2016-01, Vol.7, p.10428-10428
Hauptverfasser:	Perello, David J, Chae, Sang Hoon, Song, Seunghyun, Lee, Young Hee
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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