Acceptor formation in Mg-doped, indium-rich GaxIn1−xN: evidence for p-type conductivity

We report on the Mg-doped, indium-rich Ga x In 1− x N ( x

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Nanoscale research letters 2012-10, Vol.7 (1), p.574-574
Hauptverfasser:	Balkan, Naci, Tiras, Engin, Erol, Ayse, Gunes, Mustafa, Ardali, Sukru, Arikan, MCetin, Lagarde, Dalphine, Carrère, Helene, Marie, Xavier, Gumus, Cebrail
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Chemistry and Materials Science International Conference on Superlattices Materials Science Molecular Medicine Nano Express Nanochemistry Nanodevices (ICSNN 2012) Nanoscale Science and Technology Nanostructures Nanotechnology Nanotechnology and Microengineering
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Beschreibung
Zusammenfassung:	We report on the Mg-doped, indium-rich Ga x In 1− x N ( x
ISSN:	1556-276X 1931-7573 1556-276X
DOI:	10.1186/1556-276X-7-574