Erratum: "Temperature dependence of 1∕f noise mechanisms in silicon nanowire biochemical field effect transistors" [Appl. Phys. Lett. 97, 243501 (2010)]

Erratum: "Temperature dependence of 1∕f noise mechanisms in silicon nanowire biochemical field effect transistors" [Appl. Phys. Lett. 97, 243501 (2010)]

[This corrects the article on p. 243501 in vol. 97, PMID: 21221250.][This corrects the article on p. 243501 in vol. 97, PMID: 21221250.].

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Applied physics letters 2011-05, Vol.98 (19), p.199902-199902
Hauptverfasser: Rajan, Nitin K, Routenberg, David A, Chen, Jin, Reed, Mark A
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:[This corrects the article on p. 243501 in vol. 97, PMID: 21221250.][This corrects the article on p. 243501 in vol. 97, PMID: 21221250.].
ISSN:0003-6951
1077-3118
0003-6951
DOI:10.1063/1.3590274