Hall effect: the role of nonequilibrium charge carriers

A new model of the Hall effect in the case of a bipolar semiconductor is present. Taking into account the nonequilibrium carriers, thermal generation and recombination processes assisted by traps (Shockley-Read model), the expressions for the electrochemical potential of electrons and holes, Hall field and Hall constant R sub(H) are obtained. The dependence of these expressions of the distribution of the carriers along the direction of the Hall field in the case of intrinsic and extrinsic semiconductors is studied.Original Abstract: Presentamos un nuevo modelo del efecto Hall en el caso de semiconductores bipolares. Se toma en cuenta portadores fuera de equilibrio, procesos de generation y recombinacion asistidos por trampas (modelo de Shockley-Read). Se obtienen expresiones para los potenciales electroquimicos de electrones y huecos, campo de Hall y constante de Hall R sub(H). Estudiamos la dependencia de estas expresiones de la distribucion de portadores a lo largo de la direccion del campo Hall, en el caso de semiconductores intrinsecos y extrinsecos.