10 GHz AlGaInAs/InP 1.55 μm passively mode-locked laser with low divergence angle and timing jitter

We present a 10 GHz 1.55 μm all-active passively mode-locked laser based on a novel AlGaInAs/InP epitaxial structure with a three-quantum-well active layer and a passive far-field reduction layer. The device generated 1.06 ps pulses with a state-of-the-art timing jitter value of 194 fs (4-80 MHz), a...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Optics express 2011-12, Vol.19 (26), p.B75-B80
Hauptverfasser:	Hou, Lianping, Haji, Mohsin, Marsh, John H, Bryce, A Catrina
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!