A thermal model for insulated gate bipolar transistor module

A thermal resistor-capacitor (RC) model is introduced for the power insulated gate bipolar transistor (IGBT) modules used in a three-phase inverter. The parameters of the model are extracted from the experimental data for the transient thermal impedance from-junction-to-case Z/sub jc/ and case-to-am...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on power electronics 2004-07, Vol.19 (4), p.902-907
Hauptverfasser:	Zhaohui Luo, Hyungkeun Ahn, Nokali, M.A.E.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Algorithms Analytical models Computer simulation Data mining Electronics Finite element methods Heat Impedance Insulated gate bipolar transistors Inverters Mathematical analysis Mathematical models Modules Parameter estimation Predictive models Reinforced concrete Switching frequency Temperature Thermal resistance Transistors
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