TaN and hbox Al 2 hbox O 3 Sidewall Gate-Etch Damage Influence on Program, Erase, and Retention of Sub-50-nm TANOS nand Flash Memory Cells

The sidewall gate-etch damage influence on the electrical behavior of 48-nm hbox TaN / hbox Al 2 hbox O 3 / hbox SiN / hbox SiO 2 / hbox Si (TANOS) nand charge-trapping memory cells is investigated in detail. This etch damage occurs at the sidewall of the high work-function TaN metal gate and high-...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 2011-06, Vol.58 (6), p.1728-1734
Hauptverfasser:	Beug, MFlorian, Melde, Thomas, Paul, Jan, Knoefler, Roman
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Aluminum Blocking Damage Encapsulation Etching Liners Oxides Walls
Online-Zugang:	Volltext
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