Slow and fast light in quantum dot based semiconductor optical amplifiers
Recent progress in the field of quantum dot/dash based semiconductor optical amplifiers (SOAs) for slow and fast light is discussed. Room temperature fast light has been obtained in InAs/InP QDash based SOAs by means of coherent population oscillation and four wave mixing (FWM) effects. Typical opti...
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Veröffentlicht in: | Comptes rendus. Physique 2009-12, Vol.10 (10), p.1000-1007 |
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Hauptverfasser: | , , , , , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext |
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Zusammenfassung: | Recent progress in the field of quantum dot/dash based semiconductor optical amplifiers (SOAs) for slow and fast light is discussed. Room temperature fast light has been obtained in InAs/InP QDash based SOAs by means of coherent population oscillation and four wave mixing (FWM) effects. Typical optical delays amount to 55 ps at 2 GHz. Growth optimization of the QDashes allowed us to achieve high modal gain, leading to very similar performances, e.g. gain and FWM efficiency, to those of a bulk SOA. A novel approach based on linear spectrograms is also introduced to measure the phase shift induced by wave mixing in an SOA.
Les progrès récents dans le domaine des amplificateurs optiques à semi-conducteurs (SOA) à base de boîtes/batônnets quantiques pour la lumière lente et rapide sont discutés. Une lumière rapide à température ambiante a été obtenue dans des SOA à batônnets quantiques InAs/InP par les phénomènes d'oscillation cohérente de population et de mélange à quatre ondes (FWM). Des valeurs typiques de retards optiques de 55 ps ont été obtenues à une fréquence de 2 GHz. L'optimisation de la croissance des batônnets quantiques permet d'obtenir un gain modal élevé, conduisant à des performances presque identiques, en termes de gain et d'efficacité FWM, à celles d'un SOA à matériau massif. Une nouvelle approche basée sur la technique des spectrogrammes linéaires est également introduite pour mesurer le déphasage induit par le mélange d'ondes dans un SOA. |
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ISSN: | 1631-0705 1878-1535 |
DOI: | 10.1016/j.crhy.2009.12.006 |