Controlled fabrication of Si nanocrystals embedded in thin SiON layers by PPECVD followed by oxidizing annealing

Controlled fabrication of Si nanocrystals embedded in thin SiON layers by PPECVD followed by oxidizing annealing

The controlled fabrication of Si nanocrystals embedded in thin silicon oxynitride films (

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Nanotechnology 2010-07, Vol.21 (28), p.285605-285605
Hauptverfasser: Perret-Tran-Van, S, Makasheva, K, Despax, B, Bonafos, C, Coulon, P E, Paillard, V
Format: Artikel
Sprache:eng
Schlagworte:
Annealing
Data storage
Engineering Sciences
Nanocrystals
Nucleation
Oxidation
Silicon
Silicon oxynitride
Silicon substrates
Thin films
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Beschreibung
Zusammenfassung:The controlled fabrication of Si nanocrystals embedded in thin silicon oxynitride films (
ISSN:0957-4484
1361-6528
DOI:10.1088/0957-4484/21/28/285605