Electric-Field-Induced Gap States in Pentacene

Electrical measurements of a pentacene (Pn) thin‐film transistor reveal that oxygen exposure under certain bias voltages results in the formation of Pn gap states, whose influence on transistor properties is relevant to the development of organic electronics. A model explaining the origin of these s...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Advanced materials (Weinheim) 2009-06, Vol.21 (24), p.2511-2515
Hauptverfasser:	Knipp, Dietmar, Northrup, John E.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	doping organic electronics pentacene thin films transistors
Online-Zugang:	Volltext
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