Lanthanum implantation for threshold voltage control in metal/high-@@ik@ devices

In this paper the tuning of the @@in@-metal effective work function by implantation of lanthanum is demonstrated. The effect of implantation and thermal annealing on the device flat-band voltage is presented. It is shown that lanthanum doping of the gate stack produces a negative shift of the flat-b...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Microelectronic engineering 2009-09, Vol.86 (7-9), p.1782-1785
Hauptverfasser:	Fet, A, Haeublein, V, Bauer, A J, Ryssel, H, Frey, L
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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