1-[mu]m Enhancement Mode GaAs N-Channel MOSFETs With Transconductance Exceeding 250 mS/mm

In this letter, 1-mum GaAs-based enhancement-mode n-channel devices with channel mobility of 5500 cm@@u2@/Vmiddots and g @@dm@ exceeding 250 mS/mm have been fabricated. The measured device parameters including threshold voltage V@@dth@, maximum extrinsic transconductance g@@dm@, saturation current I...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2007-02, Vol.28 (2), p.100-102
Hauptverfasser:	Rajagopalan, K, Droopad, R, Abrokwah, J, Zurcher, P, Fejes, P, Passlack, M
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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