Nanocrystal Non-Volatile Memory Devices

The physical background and present status of the application of metal-insulator-silicon structures with semiconductor nanocrystals embedded in the insulator layer for memory purposes is breafly summarized.

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Materials science forum 2009-01, Vol.609, p.1-9
Hauptverfasser: Basa, P., Horváth, Zs.J.
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:The physical background and present status of the application of metal-insulator-silicon structures with semiconductor nanocrystals embedded in the insulator layer for memory purposes is breafly summarized.
ISSN:0255-5476
1662-9752
1662-9752
DOI:10.4028/www.scientific.net/MSF.609.1