Growth and characterization of GaSb heteroepitaxial layers on Si(111) substrates

We investigated the growth of GaSb layers and GaSb/‐AlGaSb multiple quantum well (MQW) structures using an AlSb initiation layer on Si(111) substrates. The entire growth was monitored using reflection high‐energy electron diffraction (RHEED). The GaSb epitaxial films and MQWstructures were character...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Physica status solidi. C 2008-07, Vol.5 (9), p.2769-2771
Hauptverfasser:	Toyota, H., Yasuda, T., Endoh, T., Jinbo, Y., Uchitomi, N.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	68.55.−a 68.65.Fg 78.55.Cr 78.67.De 81.05.Ea 81.15.Hi
Online-Zugang:	Volltext
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