Low-temperature conductance mechanisms in p-Si/SiGe heterostructures in high magnetic fields

Low‐temperature conductance mechanism in low‐density Si/SiGe heterostructures in high magnetic fields (ultra‐quantum limit) is studied using AC and DC transport measurements. Evidence of the Wigner crystal in this regime is given. (© 2008 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim)

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Physica status solidi. C 2008-03, Vol.5 (3), p.829-834
Hauptverfasser:	Drichko, I. L., Dyakonov, A. M., Smirnov, I. Yu, Suslov, A. V., Galperin, Y. M., Vinokur, V., Myronov, M., Mironov, O. A.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	73.230000000000004.−b 73.43.Qt 73.50.Rb
Online-Zugang:	Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Low‐temperature conductance mechanism in low‐density Si/SiGe heterostructures in high magnetic fields (ultra‐quantum limit) is studied using AC and DC transport measurements. Evidence of the Wigner crystal in this regime is given. (© 2008 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim)
ISSN:	1862-6351 1610-1634 1610-1642
DOI:	10.1002/pssc.200777555