Electron–electron interaction in p-SiGe/Ge quantum wells

The temperature dependent magnetoresistance of high mobility p-SiGe/Ge quantum wells is studied with hole densities ranging from 1.7 to 5.9 × 10 11 cm −2. At magnetic fields below the onset of quantum oscillations that reflect the high mobility values (up to 75000 cm 2/Vs), we observe the clear sign...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology Solid-state materials for advanced technology, 2005-12, Vol.124, p.184-187
Hauptverfasser:	Rössner, Benjamin, von Känel, Hans, Chrastina, Daniel, Isella, Giovanni, Batlogg, Bertram
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Electron–electron interaction Hole densities Magnetoresistance
Online-Zugang:	Volltext
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