Excitation energy dependence of photoluminescence in polycrystalline GaN films by post-nitridation technique

Polycrystalline gallium nitride (GaN) films were prepared on (0001) sapphire substrates by post-nitridation technique. The photoluminescence (PL) spectra of the films show a blue emission (BL) and an ultraviolet emission (UV) at room temperature. We tentatively explain the blue emission in our nomin...

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Veröffentlicht in:Diamond and related materials 2004-10, Vol.13 (10), p.1892-1894
Hauptverfasser: Ma, Hong-Lei, Yang, Ying-Ge, Ma, Jin, Liu, Xiao-Mei
Format: Artikel
Sprache:eng
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