Investigation of a SiGe HBT during ESD stress in a 0.18-mum SiGe BiCMOS process

This paper investigates the electrostatic discharge (ESD) characteristics of the silicon-germanium heterojunction bipolar transistor (SiGe HBT) in a 0.18-mum SiGe BiCMOS process. According to this letter, the open base configuration in the SiGe HBT has lower trigger voltage and higher ESD robustness...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2003-03, Vol.24 (3), p.168-170
Hauptverfasser:	Chen, Shiao-Shien, Chen, Tung-Yang, Tang, Tien-Hao, Huang, Shao-Chang, Hsu, T-L, Tseng, Hua-Chou, Chen, Jen-Kon, Chou, Chiu-Hsiang
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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