A 4K CMOS erasable PROM

A high performance ultraviolet erasable complementary MOS PROM is described. Microwatt standby power is achieved by utilizing synchronous design on an ion-implanted silicon-gate CMOS technology. The device can operate with a single voltage supply from 4 to 11 V while still maintaining TTL compatibil...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE journal of solid-state circuits 1978-10, Vol.13 (5), p.677-680
1. Verfasser:	Chan, Y.-F.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	CMOS process CMOS technology Costs Energy consumption EPROM Fabrication Power dissipation PROM System-on-a-chip Voltage
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