On the nucleation model for gallium nitride films grown on sapphire

A thermodynamical model of GaN nucleation on sapphire substrates has been developed. Theoretical basis for the understanding of using a short nitridation time, producing a thin monoatomic Al layer before the true nucleation layer, have been given. By using such nucleation conditions, combined with o...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Physica status solidi. C 2005-01, Vol.2 (4), p.1280-1283
Hauptverfasser:	Vigdorovich, E. N., Arendarenko, A. A., Kharlamov, R. V., Sveshnikov, Yu. N.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	68.35.Dv 68.55.Ac 81.15.Gh
Online-Zugang:	Volltext
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