Experimental study of dependence of performance on profile parameters in quasi-Read GaAs IMPATT diodes

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 1973-12, Vol.20 (12), p.1178-1178
Hauptverfasser:	Irvin, J.C., Luther, L.C., Coleman, D.J.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Gallium arsenide Noise Noise measurement Power generation Schottky barriers Schottky diodes Silicon
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