IVB-1 GaAs MESFETs with a partially p type drain

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 1982-10, Vol.29 (10), p.1686-1687
Hauptverfasser:	Lee, C.P., Welch, B.M.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext bestellen
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