VB-7 the modulation doped GaInAs/AlInAs MESFET

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 1982-10, Vol.29 (10), p.1699-1699
Hauptverfasser:	Barnard, J.A., Wicks, G., Eastman, L.F.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Aluminum Anodes Epitaxial layers Gallium arsenide Logic gates MESFETs
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