VB-7 the modulation doped GaInAs/AlInAs MESFET

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 1982-10, Vol.29 (10), p.1699-1699
Hauptverfasser:	Barnard, J.A., Wicks, G., Eastman, L.F.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Aluminum Anodes Epitaxial layers Gallium arsenide Logic gates MESFETs
Online-Zugang:	Volltext bestellen
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!