Spin-resonant change of unlocking stress for dislocations in silicon

In this work we have observed a significant increase of unlocking stress for dislocations in Cz‐Si caused by the microwave magnetic field in a condition of spin resonance corresponding to g‐factor value of about 2.0. The result can be interpreted in terms of spin‐dependent reactions of oxygen accumu...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Physica status solidi. C 2005-04, Vol.2 (6), p.1869-1872
Hauptverfasser:	Badylevich, M. V., Kveder, V. V., Orlov, V. I., Ossipyan, Yu. A.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	61.72.Hh 61.72.Ji 76.30.Lh
Online-Zugang:	Volltext
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