Reverse current-voltage characteristics of metal silicide Schottky diodes

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:IEEE transactions on electron devices 1969-02, Vol.16 (2), p.246-246
Hauptverfasser: Andrews, J.M., Lepselter, M.P.
Format: Artikel
Sprache:eng
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0018-9383
1557-9646
DOI:10.1109/T-ED.1969.16668