Investigation of thermally oxidized silicon surfaces using metal-oxide-semiconductor structures

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 1964-11, Vol.11 (11), p.531-531
Hauptverfasser:	Grove, A.S., Deal, B.E., Snow, E.H., Sah, C.T.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Capacitance Frequency measurement Semiconductor device measurement Silicon Surface discharges Surface resistance Surface treatment
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