Anisotropic etching for forming isolation slots in silicon beam-leaded integrated circuits

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 1968-06, Vol.15 (6), p.420-420
Hauptverfasser:	Waggener, H.A., Kragness, R.C., Tyler, A.L.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Electron optics Electron tubes Electrostatics Gold Image resolution Logic gates Silicon
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