Near ideal metal-semiconductor barriers

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 1968-06, Vol.15 (6), p.434-434
Hauptverfasser:	Lepselter, M.P., Sze, S.M.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Epitaxial growth Fabrication Germanium Resistance Semiconductor diodes Silicon Substrates
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