Properties of MBE CdxHg1−xTe/GaAs structures modified by ion-beam milling

Modification of electrical properties of n‐ and p‐type MBE mercury–cadmium‐telluride (MCT) structures with passivation gradient band gap layers under ion milling was investigated. Main features of the CdxHg1−xTe electrical properties modification with such treatment also hold for MBE MCT structures...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Physica status solidi. C 2004-01, Vol.1 (2), p.355-359
Hauptverfasser: Bogoboyashchyy, V. V., Dvoretsky, S. A., Izhnin, I. I., Mikhailov, N. N., Sidorov, Yu. G., Sizov, F. F., Varavin, V. S., Yudenkov, V. A.
Format: Artikel
Sprache:eng
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Online-Zugang:Volltext
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