Properties of MBE CdxHg1−xTe/GaAs structures modified by ion-beam milling
Modification of electrical properties of n‐ and p‐type MBE mercury–cadmium‐telluride (MCT) structures with passivation gradient band gap layers under ion milling was investigated. Main features of the CdxHg1−xTe electrical properties modification with such treatment also hold for MBE MCT structures...
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Veröffentlicht in: | Physica status solidi. C 2004-01, Vol.1 (2), p.355-359 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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