IIIA-8 front-side illuminated InP/GaInAs/InP p-i-n photodiode with FWHM < 26 picoseconds

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 1985-11, Vol.32 (11), p.2535-2536
Hauptverfasser:	Wang, S.Y., Carey, K.W.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	III-V semiconductor materials Indium phosphide Optical switches Optical waveguides Performance evaluation Photodiodes Substrates
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