IIIA-1 Ultralow-noise and high-frequency operation of TEGFET's made by molecular-beam epitaxy

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 1984-12, Vol.31 (12), p.1967-1967
Hauptverfasser:	Laviron, M., Delagebeaudeuf, D., Rochette, J.F., Tung, P.N., Delescluse, P., Chevrier, J., Linh, N.T.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	HEMTs Junctions Logic gates MODFETs Noise figure Resistance Transconductance
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