IIB-4 analysis of the channel inversion layer capacitance in the very thin-gate IGFET

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 1983-11, Vol.30 (11), p.1572-1573
Hauptverfasser:	Soo-Young Oh, Suk-Gi Choi, Sodini, C.G., Moll, J.L.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
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