Ultrafast carrier dynamics in AlSb

The III-V semiconductor aluminum antimonide (AlSb) has potential applications as a radiation detector and as a material in high-mobility hetero-structures. Doping of AlSb with Se results in the formation of DX-type defect centers, which undergo a structural relaxation to form metastable donor states...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Bulletin of the American Physical Society 2004-03, Vol.49 (1), p.B11 3-B11 3
Hauptverfasser:	Avanesyan, S M, Hlaing, W M, Morrissey, F X, McCluskey, M D, Dexheimer, S L
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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