40-mm(2) 3-V-only 50-MHz 64-Mb 2-b/cell CHE NOR flash memory

This paper presents a 3-V-only 64-Mb 4-level-cell (2-b/cell) NOR-type channel-hot-electron (CHE) programmed flash memory fabricated in 0.18-mum shallow-trench isolation CMOS technology. The device (die size 40 mm(2)) is organized in 64 1-Mb sectors. Hierarchical column and row decoding ensures compl...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE journal of solid-state circuits 2000-11, Vol.35 (11), p.1655-1667
Hauptverfasser:	Campardo, G, Micheloni, R, Commodaro, S, Yero, E, Zammattio, M, Mognoni, S, Sacco, A, Picca, M, Manstretta, A, Scotti, M, Motta, I, Golla, C, Pierin, A, Bez, R, Grossi, A, Modelli, A, Visconti, A, Khouri, O, Torelli, G
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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