Stability of amorphous-silicon TFTs deposited on clear plastic substrates at 250 deg C to 280/spl deg/ C

Amorphous-silicon (a-Si) thin-film transistors (TFTs) were fabricated on a free-standing new clear plastic substrate with high glass transition temperature (T/sub g/) of > 315 deg C and low coefficient of thermal expansion of < 10 ppm/ deg C. Maximum process temperatures on the substrates were...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2006-02, Vol.27 (2), p.111-113
Hauptverfasser:	Long, K, Kattamis, A Z, Cheng, I-C, Gleskova, H, Wagner, S, Sturm, J C
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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