Ultra-thin gate insulator of atomic-layer-deposited AlOxand HfOxfor amorphous InGaZnO thin-film transistors

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Nanotechnology 2023-04, Vol.34 (26)
Hauptverfasser:	Li, Jiye, Guan, Yuhang, Li, Jinxiong, Zhang, Yuqing, Zhang, Yuhan, Chan, ManSun, Wang, Xinwei, Lu, Lei, Zhang, Shengdong
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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