Electronic structures of CeRhAs and CeRhSb

We have performed first-principles band structure calculations of ε-TiNiSi type CeRhAs and CeRhSb. Results of the calculations predict that the ground state of CeRhAs is insulating with an indirect band gap of 38 meV . On the other hand, the ground state of CeRhSb is semimetallic with anisotropic ho...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Physica. B, Condensed matter Condensed matter, 2003-04, Vol.328 (1), p.154-156
1. Verfasser: Ishii, F.
Format: Artikel
Sprache:eng
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