METAL-ORGANIC CVD AND CHARACTERIZATION OF STRONTIUM BISMUTH TANTALATE (SBT) THIN FILMS

The MOCVD of ferroelectric thin films is investigated for the manufacture of devices requiring a high density of volatile or nonvolatile memory which goes beyond the limits of current mass production techniques. One of the more important challenges in the MOCVD of multicomponent oxide thin films is...

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Veröffentlicht in:	Jpn.J.Appl.Phys ,Part 1. Vol. 39, no. 9B, pp. 5485-5488. 2000 Part 1. Vol. 39, no. 9B, pp. 5485-5488. 2000, 2000-01, Vol.39 (9B), p.5485-5488
Hauptverfasser:	Burgess, D, Schienle, F, Lindner, J, Schumacher, M, Juergensen, H, Solayappan, N
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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