Growth and electrical characteristics of InAs/GaAs quantum well and quantum dot structures

The electrical characteristics of InAs quantum dot (QDot) and quantum well (QW) structures embedded in GaAs confining layers were compared using current-voltage (I/V) and capacitance-voltage (C-V) characterization in the 80-300 K temperature range, and a special technique developed for measuring fas...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Thin solid films 2000-05, Vol.367 (1-2), p.89-92
Hauptverfasser: HORVATH, Zs. J, DOZSA, L, VO VAN TUYEN, PÖDÖR, B, NEMCSICS, A, FRIGERI, P, GOMBIA, E, MOSCA, R, FRANCHI, S
Format: Artikel
Sprache:eng
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!