Quantum-mechanical modeling of electron tunneling current from the inversion layer of ultra-thin-oxide nMOSFET's

Quantum-mechanical modeling of electron tunneling current from the inversion layer of ultra-thin-oxide nMOSFET's

Quantum-mechanical modeling of electron tunneling current from the quantized inversion layer of ultra-thin-oxide (

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:IEEE electron device letters 1997-05, Vol.18 (5), p.209-211
Hauptverfasser: Lo, S.-H., Buchanan, D.A., Taur, Y., Wang, W.
Format: Artikel
Sprache:eng
Schlagworte:
Capacitance
CMOS technology
Electromagnetic waveguides
Electrons
Equations
Leakage current
MOSFET circuits
Potential well
Surface treatment
Tunneling
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Beschreibung
Zusammenfassung:Quantum-mechanical modeling of electron tunneling current from the quantized inversion layer of ultra-thin-oxide (
ISSN:0741-3106
1558-0563
DOI:10.1109/55.568766