A small-signal RF model and its parameter extraction for substrate effects in RF MOSFETs

We propose a physically acceptable small-signal model incorporating substrate effects, in order to eliminate the severe frequency-dependence of the intrinsic drain-source resistance observed from a conventional model of RF Si MOSFETs. This model is based on the substrate network where a parallel RC...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 2001-07, Vol.48 (7), p.1374-1379
Hauptverfasser:	Lee, Seonghearn, Kim, Cheon Soo, Yu, Hyun Kyu
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Acceptability Capacitance Drains Extraction Mathematical models MOSFETs Radio frequencies Semiconductor device modeling Silicon substrates
Online-Zugang:	Volltext bestellen
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