Integration of Si and SiGe with Al sub(2)O sub(3) (sapphire)

Through the characterization of structural defects in bonded silicon on sapphire handle-substrates (SOS) that develop with exposure to device processing temperatures, we have investigated and implemented a methodology to study wafer bonding reaction chemistry. In this context, we present the result...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Microelectronic engineering 2001-11, Vol.59 (1-4), p.455-459
Hauptverfasser:	Lagnado, I, De la Houssaye, P R
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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