Effect of plasma etching, carbon concentration, and buffer layer on the properties of a-Si:H/a-Si sub 1 sub - sub x C sub x :H multilayers

Effect of plasma etching, carbon concentration, and buffer layer on the properties of a-Si:H/a-Si sub 1 sub - sub x C sub x :H multilayers

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Journal of applied physics 1994-01, Vol.75 (1), p.543-548
Hauptverfasser: Velasquez, E L Z, Fantini, M C A, Carreno, M N P
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
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ISSN:0021-8979