Effect of thermal annealing on GaN nucleation layers deposited on (0001)sapphire by metallorganic chemical vapor deposition

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Journal of applied physics 1994-01, Vol.75 (10), p.5367-5371
Hauptverfasser: Wickenden, A Estes, Wickenden, D K, Kistenmacher, T J
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
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ISSN:0021-8979