Nitrogen donors in 4H-silicon carbide

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of applied physics 1993-04, Vol.73 (7), p.3332-3338
Hauptverfasser:	GÖTZ, W, SCHÖNER, A, PENSL, G, SUTTROP, W, CHOYKE, W. J, STEIN, R, LEIBENZEDER, S
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Condensed matter: electronic structure, electrical, magnetic, and optical properties Electron states Exact sciences and technology Impurity and defect levels Physics
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Beschreibung
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ISSN:	0021-8979 1089-7550
DOI:	10.1063/1.352983